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摘 要:一种芯片及芯片的制造方法。芯片包括芯片本体(10),芯片本体(10)包括:衬底(101)、器件层(102)和多孔硅结构,器件层(102)位于衬底(101);多孔硅结构设置于衬底(101)上,多孔硅结构用于与化学开盖溶液反应以破坏芯片本体(10)。所述芯片,作为化学开盖溶液的硝酸与多孔硅结构反应,以破坏芯片本体,防止芯片内存储的信息被破解和窃取,提高芯片的安全性。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201980000113.2 | 专利名称: | 芯片及芯片的制造方法 |
申请日: | 2019-01-15 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 地址: | ||
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L23/00搜分类 集成电路搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |