发明专利已授权

一种用于半导体晶圆表面的磨削方法

Name: 一种用于半导体晶圆表面的磨削方法
Brand: 华侨大学
SKU: 2024102632071
Availability: InStock

📄 申请号：CN202410263207.1 📄 发布日：2026/09/04

著录项目信息

申请日

2024-03-08

公开号

CN117840824B

公开日

2024-05-28

申请人

华侨大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

B24B1_00

IPC 分类号

B24B1_00 , B24D18_00 , B24B7_22 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

半导体晶圆制造, 晶圆减薄, 芯片封装, 集成电路制造, 表面平坦化

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摘要

本发明提供了一种用于半导体晶圆表面的磨削方法，通过制备的带有导电层包覆的硬质磨粒的研磨盘，控制脉冲电源可使工件与研磨盘表层的导电磨粒间形成电火花放电通道，放电产生高温仅诱导半导体晶圆表层氧化而不产生裂纹，再由导电磨粒对应去除氧化层，显著提高大尺寸半导体晶圆的处理效率，获取无损伤半导体晶圆表面，结合磨粒放电和特制研磨盘，对半导体晶圆表面氧化层的高效去除，同时确保了磨削过程中的无损伤，在半导体制造中提供更高效、更可控的磨削工艺，且包覆有导电层的硬质磨粒所形成的导电磨粒，确保硬质磨粒可以直接获得导电特性，也可以有效避免硬质磨粒直接进行磨削操作，而是通过导电层与待磨削物进行缓冲接触。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN117840824B

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该专利的转让价格是多少？

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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