发明专利已授权

一种抑制光刻胶图形结构坍塌与黏连的方法

📄 申请号：CN202010302901.1 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2020-04-17

公开号

CN111399348B

公开日

2023-03-31

申请人

淮北师范大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G03F7_40

IPC 分类号

G03F7_40

技术画像

所属领域

半导体制造工艺半导体制造工艺光刻技术微纳加工

应用场景

集成电路制造, 半导体芯片生产, 平板显示制造, 微机电系统制造, 先进封装

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摘要

本发明公开了一种抑制光刻胶图形结构坍塌与黏连的方法，通过化学反应引入金属‑氧化学键消除光刻胶图形表面去离子水表面张力影响，增强光刻胶图形机械强度从而抑制图形坍塌与黏连。本发明引入的金属‑氧化学键可以消除水分子表面张力的影响，有效增强光刻胶图形的机械强度，抑制图形的坍塌与黏连；生长工艺简单，成本低，效率高；生长温度低，不会对光刻胶图形造成新的破坏；去胶时容易清除图形表面附着的金属‑氧化学键，不会引入新污染。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种高深宽比光刻胶图形处理方法

当前第 / 件

一种单分散yolk-shell结构二硫化钼微球的制备方法

同领域国内专利 · IPC: (G03F7_40)

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