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发明专利
已授权
一种氮化硼刻蚀的方法
📄 申请号:CN201710043653.1
📄 发布日:2025/11/16
著录项目信息
申请日
2017-01-19
公开号
CN106835074B
公开日
2018-12-25
申请人
陕西方驰振科技有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
C23C16_455
IPC 分类号
C23C16_455
,
C23C16_34
,
C23C16_56
,
技术画像
所属领域
半导体制造工艺
半导体制造工艺
等离子体刻蚀
二维材料加工
应用场景
半导体器件制造, 集成电路, 二维材料器件, 微纳加工, 电子器件
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摘要
本发明公开了一种氮化硼刻蚀的方法;本发明采用压印法以表面有图案的聚二甲基硅氧烷(PDMS)模板为印章,将氧化石墨烯溶液转印到氮化硼薄膜表面,然后在硫化钼蒸气中在一定温度下保温一定时间,在氮化硼表面刻蚀出图案,完成PDMS表面的图案向氮化硼表面的转移。本发明通过二硫化钼蒸气催化分解氮化硼,降低了氮化硼光刻条件,方法简单、方便和可操作性强。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
20250930
?? 专利权的转移 :
20210126
?? 专利权的转移 :
20200904
?? 专利权的转移 :
20181225
✅ 授权
20170707
?? 实质审查的生效 :
20170613
📄 公开
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委托待转让
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