发明专利已授权

制造双极互补金属氧化半导体器件的方法及硅基多层结构

📄 申请号：CN201711057020.2 📄 发布日：2026/06/04

著录项目信息

申请日

2017-10-27

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L27_06

IPC 分类号

H01L27_06 , H01L29_165 , H01L21_8249 ,

技术画像

所属领域

半导体制造工艺半导体制造工艺 BiCMOS器件硅基多层结构

应用场景

集成电路制造, 射频集成电路, 混合信号电路, 功率半导体器件, 半导体分立器件

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摘要

本发明公开了制造双极互补金属氧化半导体器件的硅基多层结构，所述硅基多层结构由下至上依次包括低掺杂单晶硅层、第一驰豫Si1-yGey层、Si1-xGex层、第二驰豫Si1-yGey层、应变Si1-rGer层及应变硅层，r、x及y为自然数，0

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

H面裂缝波导太赫兹定向耦合器

当前第 / 件

一种MOS管实现二极管的高阶温度补偿带隙基准电路

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