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24小时咨询热线摘 要：本发明公开了制造双极互补金属氧化半导体器件的硅基多层结构，所述硅基多层结构由下至上依次包括低掺杂单晶硅层、第一驰豫Si1-yGey层、Si1-xGex层、第二驰豫Si1-yGey层、应变Si1-rGer层及应变硅层，r、x及y为自然数，0 著 录 项：
专利/申请号：
CN201711057020.2
专利名称：
制造双极互补金属氧化半导体器件的方法及硅基多层结构
申请日：
2017-10-27
申请/专利权人
重庆邮电大学
专利类型：
发明
地址：
重庆市南岸区南山街道崇文路2号
专利状态：
已下证
查询审查信息
分类号：
H01L27/06搜分类
半导体搜索
公开/公告日：
转让价格：
面议
公开/公告号：
交易状态：
等待洽谈
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| 交易方 | 企业 | 个人 |
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