发明专利已授权

一种晶圆离子注入方法

📄 申请号：CN201810491383.5 📄 发布日：2026/01/04

著录项目信息

申请日

2018-05-21

公开号

CN108766908A

公开日

2018-11-06

申请人

陈涛

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_67

IPC 分类号

H01L21_67 , H01L21_677 , H01L21_687 ,

技术画像

所属领域

半导体制造工艺半导体制造工艺离子注入技术晶圆加工

应用场景

集成电路制造, 芯片制造, 半导体器件制备, 晶圆加工

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摘要

本发明属于半导体加工技术领域，具体的说是一种晶圆离子注入方法，本方法采用的刻蚀装置，包括移动模块、抓取模块、一号反应槽、二号反应槽、三号反应槽和储料筒，反应仓内壁底表面固定安装有一号反应槽、二号反应槽和三号反应槽；移动模块固定安装在反应仓内壁的侧表面顶部；抓取模块安装在移动模块上，储料筒用于存放晶圆；抓取模块用于对储料筒进行抓取；储料筒从进料门输送至反应仓中；移动模块通过与抓取模块配合将储料筒中的晶圆，依次放入三号反应槽、二号反应槽和一号反应槽中刻蚀；本发明主要用于对晶圆进行刻蚀,能够提高刻蚀液的使用效率，能够对晶圆进行批量化刻蚀，提高了刻蚀效率。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20201215

✅ 授权

20201215

⏳ 专利申请权的转移：

20181130

?? 实质审查的生效：

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：79 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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