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发布日 申请号 专利名称 法律状态 类型 价格 操作
2025/03/25 2020104063486 一种二硫化钼纳米带及其制备方法、场效应晶体管的电极材料 复制

领域:纳米材料  分类: H01L29/78

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2025/03/03 2021102132645 全环绕闸极水平贯穿式晶体管及其制备方法 复制

领域:半导体  分类: H01L29/78

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2025/03/03 2020116228475 鳍式场效应管及其制作方法 复制

领域:半导体  分类: H01L29/78

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2025/01/15 2021111329192 深浅组合肖特基势垒隧道晶体管及其制造方法 复制

领域:半导体技术 晶体管设计制造 Schottky势垒 金属 半导体接触 集成电路设计制造 隧穿晶体管 绝缘层 栅电极 源电极 漏电极 绝缘层 数字逻辑电路  分类: H01L29/78

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2023/12/13 2020108882481 一种基于MnBi2Te4单层的纳米尺度场效应晶体管 复制

领域:纳米 场效应晶体管  分类: H01L29/78

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2023/10/17 2018104473680 含半绝缘区的MOSFET及其制备方法 复制

领域: F  分类: H01L29/78

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2023/10/17 2016105258273 一种低功耗4H-SiC电压控制型功率半导体器件及其制备方法 复制

领域:半导体 C IC 器件 低 港口 电压控制 功率半导体器件 低功耗  分类: H01L29/78

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2024/04/01 2020103646641 一种具有非均匀体二极管的SiC MOSFET器件 复制

领域:电子元器件 C IC 均匀 F 电子设备和元器件  分类: H01L29/78

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2023/08/21 2020107483732 一种二硫化钼场效应晶体管及其制备方法和应用 复制

领域:二硫化钼 场效应晶体管  分类: H01L29/78

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2023/07/10 2020114171754 一种具有表面和体内双沟道的横向超结薄层SOI-LDMOS器件 复制

领域:表 L 器件  分类: H01L29/78

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2022/07/01 201710866946X 一种具有高K电荷补偿纵向双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应晶体管 复制

领域:半导体 通信网络 网络传输 场效应晶体管  分类: H01L29/78

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2022/07/01 2015101124114 N型埋层覆盖型超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 复制

领域:半导体  分类: H01L29/78

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2022/07/01 2017108669578 一种具有高K电荷补偿纵向双扩散金属氧化物元素半导体场效应晶体管 复制

领域:半导体 场效应晶体管  分类: H01L29/78

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2022/07/01 2017101570561 一种具有宽带隙材料与硅材料复合垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管 复制

领域:半导体 通信网络 网络传输 硅 港口  分类: H01L29/78

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2022/07/01 2014102343909 一种栅控垂直双扩散金属 氧化物半导体场效应晶体管 复制

领域:半导体 场效应晶体管  分类: H01L29/78

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