2025/03/25 |
2020104063486 |
一种二硫化钼纳米带及其制备方法、场效应晶体管的电极材料
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领域:纳米材料
分类:
H01L29/78
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2025/03/03 |
2021102132645 |
全环绕闸极水平贯穿式晶体管及其制备方法
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领域:半导体
分类:
H01L29/78
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2025/03/03 |
2020116228475 |
鳍式场效应管及其制作方法
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领域:半导体
分类:
H01L29/78
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2025/01/15 |
2021111329192 |
深浅组合肖特基势垒隧道晶体管及其制造方法
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领域:半导体技术 晶体管设计制造 Schottky势垒 金属 半导体接触 集成电路设计制造 隧穿晶体管 绝缘层 栅电极 源电极 漏电极 绝缘层 数字逻辑电路
分类:
H01L29/78
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2023/12/13 |
2020108882481 |
一种基于MnBi2Te4单层的纳米尺度场效应晶体管
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领域:纳米 场效应晶体管
分类:
H01L29/78
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2023/10/17 |
2018104473680 |
含半绝缘区的MOSFET及其制备方法
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领域: F
分类:
H01L29/78
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2023/10/17 |
2016105258273 |
一种低功耗4H-SiC电压控制型功率半导体器件及其制备方法
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领域:半导体 C IC 器件 低 港口 电压控制 功率半导体器件 低功耗
分类:
H01L29/78
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2024/04/01 |
2020103646641 |
一种具有非均匀体二极管的SiC MOSFET器件
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领域:电子元器件 C IC 均匀 F 电子设备和元器件
分类:
H01L29/78
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2023/08/21 |
2020107483732 |
一种二硫化钼场效应晶体管及其制备方法和应用
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领域:二硫化钼 场效应晶体管
分类:
H01L29/78
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2023/07/10 |
2020114171754 |
一种具有表面和体内双沟道的横向超结薄层SOI-LDMOS器件
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领域:表 L 器件
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H01L29/78
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2022/07/01 |
201710866946X |
一种具有高K电荷补偿纵向双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应晶体管
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领域:半导体 通信网络 网络传输 场效应晶体管
分类:
H01L29/78
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2022/07/01 |
2015101124114 |
N型埋层覆盖型超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
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领域:半导体
分类:
H01L29/78
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2022/07/01 |
2017108669578 |
一种具有高K电荷补偿纵向双扩散金属氧化物元素半导体场效应晶体管
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领域:半导体 场效应晶体管
分类:
H01L29/78
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2022/07/01 |
2017101570561 |
一种具有宽带隙材料与硅材料复合垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管
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领域:半导体 通信网络 网络传输 硅 港口
分类:
H01L29/78
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2022/07/01 |
2014102343909 |
一种栅控垂直双扩散金属 氧化物半导体场效应晶体管
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领域:半导体 场效应晶体管
分类:
H01L29/78
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