发明专利已授权

含半绝缘区的MOSFET及其制备方法

Name: 含半绝缘区的MOSFET及其制备方法
Brand: 安徽工业大学
SKU: 2018104473680
Availability: InStock

📄 申请号：CN201810447368.0 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-05-11

公开号

CN108417638B

公开日

2021-02-02

申请人

安徽工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_78

IPC 分类号

H01L29_78 , H01L29_06 , H01L21_336 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件功率半导体器件半导体制造工艺

应用场景

电力电子, 电源管理, 新能源汽车, 工业控制, 智能电网

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摘要

本发明公开了含半绝缘区的MOSFET及其制备方法，属于高压电力电子技术领域。半绝缘区位于并排设置的第一导电类型半导体掺杂的基区和第二导电类型半导体掺杂的源区的下方，半绝缘区的底部和侧面均与第二导电类型半导体掺杂的漂移层接触。半绝缘区是先采用离子注入第二导电类型的杂质实现反掺杂形成电中性层，然后依靠离子注入两性杂质元素形成半绝缘区域，浅基区是在半绝缘区域上方依靠离子注入第一导电类型的杂质形成。通过减小MOSFET寄生晶体管存在的区域，解决UIS条件下常规MOSFET寄生晶体管开启所带来的电流失控而引起的“热奔”问题，能显著提高雪崩耐量、鲁棒性、抵御大电流能力、击穿电压和可靠性。

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这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN108417638B

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20210202

✅ 授权

20180911

?? 实质审查的生效：

20180817

📄 公开

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：38 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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📊 出价记录 (3条)

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