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| 专利/申请号： | CN201810447368.0 | 专利名称： | 含半绝缘区的MOSFET及其制备方法 |
| 申请日： | 2018-05-11 | 申请/专利权人 | 江苏吉鼎金属制品有限公司 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 江苏省南通市通州区平潮镇云台山村31组 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L29/78 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2021-09-28 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN113306089B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 22 | 所属领域： | 高压电力电子技术专利转让搜索 |
摘 要：本发明公开了含半绝缘区的MOSFET及其制备方法，属于高压电力电子技术领域。半绝缘区位于并排设置的第一导电类型半导体掺杂的基区和第二导电类型半导体掺杂的源区的下方，半绝缘区的底部和侧面均与第二导电类型半导体掺杂的漂移层接触。半绝缘区是先采用离子注入第二导电类型的杂质实现反掺杂形成电中性层，然后依靠离子注入两性杂质元素形成半绝缘区域，浅基区是在半绝缘区域上方依靠离子注入第一导电类型的杂质形成。通过减小MOSFET寄生晶体管存在的区域，解决UIS条件下常规MOSFET寄生晶体管开启所带来的电流失控而引起的“热奔”问题，能显著提高雪崩耐量、鲁棒性、抵御大电流能力、击穿电压和可靠性。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2021/02/02 | 授权 | |
| 2018/09/11 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 29/78 专利申请号: 201810447368.0 申请日: 2018.05.11 |
| 2018/08/17 | 公开 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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