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| 专利/申请号： | CN202111132919.2 | 专利名称： | 深浅组合肖特基势垒隧道晶体管及其制造方法 |
| 申请日： | 2021-09-27 | 申请/专利权人 | 沈阳工业大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 辽宁省沈阳市铁西区经济技术开发区沈辽西路111号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | H01L29/78分类检索 半导体技术 晶体管设计制造 Schottky势垒 金属 半导体接触 集成电路设计制造 隧穿晶体管 绝缘层 栅电极 源电极 漏电极 绝缘层 数字逻辑电路专利转让搜索 |
| 公开/公告日： | 2023-09-08 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN113948576B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要：一种深浅组合肖特基势垒隧道晶体管及其制造方法，N型深浅组合肖特基势垒隧道晶体管，利用中央金属区与单晶硅薄膜的价带之间形成了叫深肖特基势垒，使得临近源电极的单晶硅薄膜内的空穴无法大量通过中央金属区而形成连续电流，有效抑制了静态功耗和反向漏电流的大量产生。在亚阈值区域，单晶硅薄膜的导带与源电极之间所形成的深肖特基势垒有效抑制来自源电极的电子通过热电子发射效应注入到单晶硅薄膜，有效抑制了亚阈值电流的产生。对比当前隧穿晶体管技术和肖特基势垒晶体管技术，器件同时兼具有低亚阈值摆幅、低静态功耗、低漏电、制造过程避免掺杂工艺毫秒级热处理工艺、逻辑功能与当前CMOS集成电路兼容等特点。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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