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摘 要:本发明公开一种新的SJ‑LDMOS器件,属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统的SJ‑LDMOS器件结构中引入一层N型埋层,该埋层位于超级结层上方。与传统的SJ‑LDMOS相比,本发明通过了N型埋层的作用,补偿了超级结内N型柱区和P型柱区之间的电荷不平衡,克服了衬底辅助效应,提高了击穿电压;同时,N型埋层额外增加一条新的导电路径,降低比导通电阻。可以看出该结构的特点是高击穿电压、低导通电阻和超级结层电荷的平衡。本发明提供的新的SJ‑LDMOS器件结构还具有制造工艺相对简单,工艺难度较低的特点。本发明更易满足功率电子系统的应用要求。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201510112411.4 | 专利名称: | N型埋层覆盖型超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 |
申请日: | 2015-03-13 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/78搜分类 半导体搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |