| 2025/04/11 |
2016110512594 |
一种改进的结型场效应管
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领域：报警器
分类：
H01L29/06
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| 2025/03/18 |
2021110318519 |
一种基于锯齿形锗烯纳米带的半金属材料的制备装置
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领域：其他
分类：
H01L29/06
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| 2025/02/25 |
2022213258261 |
一种用于GaN功率器件高阻层外延结构
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领域：半导体
分类：
H01L29/06
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| 2025/03/13 |
2023220718847 |
一种半导体终端保护结构(功率MOS器件 芯片 半导体加工 电子元器件 集成电路 硅半导体电路 硅晶片）
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领域：半导体
分类：
H01L29/06
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实用新型 |
1900.0元
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| 2024/10/16 |
2021105456275 |
一种氮化镓功率器件及其制备方法
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领域：半导体
分类：
H01L29/06
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| 2025/04/14 |
2021105470130 |
掺杂浓度渐变的圆形漂移区半导体器件及其制备方法
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领域：半导体
分类：
H01L29/06
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| 2025/04/14 |
201711034819X |
一种带有电荷可调型场板的P型LDMOS结构
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领域：半导体
分类：
H01L29/06
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| 2025/04/14 |
201711036397X |
一种带有可调型场板的高压二极管
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领域：报警器
分类：
H01L29/06
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| 2024/07/05 |
2021111132038 |
一种双极结型晶体管及其制备方法
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领域：其他
分类：
H01L29/06
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| 2025/02/12 |
2021104724731 |
一种支持孤波传导的模拟神经纤维的PN微米线
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领域： 米线
分类：
H01L29/06
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20000.0元
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| 2025/02/10 |
2020105460312 |
一种SiC耐高压抗浪涌pn结单极二极管
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领域：电子元器件 半导体器件 集成电路
分类：
H01L29/06
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| 2023/12/13 |
2017109880602 |
一种高稳定性氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法
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领域：半导体 塑料 高稳定性
分类：
H01L29/06
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| 2023/10/17 |
2018104478294 |
一种提高UIS雪崩耐量的MOSFET及其制备方法
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领域： F
分类：
H01L29/06
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| 2023/10/17 |
2018104473854 |
一种含半绝缘区的槽栅功率MOS晶体管及其制备方法
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领域：其他
分类：
H01L29/06
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| 2023/07/10 |
2019102139844 |
一种具有L型SiO2隔离层的复合型RC-LIGBT器件
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领域：隔离 C R L 器件
分类：
H01L29/06
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