咨询电话：13280638997
传真：0533-3110363
邮箱：kefu@shizifang.com
24小时咨询热线13280638997
24小时咨询热线著 录 项 目：
| 专利/申请号： | CN201710988060.2 | 专利名称： | 一种高稳定性氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法 |
| 申请日： | 2017-10-21 | 申请/专利权人 | 河南大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 河南省开封市顺河区明伦街85号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | H01L29/06分类检索 半导体 塑料 高稳定性专利转让搜索 |
| 公开/公告日： | 2020-04-03 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN107706231B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要：一种高稳定性氧化物半导体薄膜晶体管，包括衬底、栅电极、绝缘层、有源层和源漏电极，所述绝缘层为掺杂硼或硅的绝缘膜，所述有源层为掺杂硼或硅的半导体薄膜，一种高稳定性氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法，包括选择重掺杂硅衬底或ITO导电玻璃为衬底，同时作为栅电极；采用磁控溅射法在衬底上制备绝缘层，所述绝缘层为掺杂硼或硅的绝缘膜；采用磁控溅射在绝缘层上制备有源层，所述有源层为掺杂硼或硅的半导体薄膜；采用热蒸发镀膜法在有源层上制备金属Al薄膜作为源漏电极。本发明采用掺杂易与氧空位结合的硼（B）或硅（Si），减少绝缘层和有源层界面处的氧空位，提高薄膜晶体管的稳定性，从而提高器件的稳定性和可靠性。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
| 2018114077740 | 【发明】一种高速开关二极管芯片及生产工艺 | 2025/06/13 |
| 2022218723128 | 【实用新型】一种轴向肖特基二极管芯片自动焊接装置 | 2025/06/12 |
| 202011470924X | 【发明】一种同时优化击穿特性和反向特性的GaNHEMT器件及其制作工艺 | 2025/05/21 |
| 2019800003918 | 【】1T1R阻变式存储器及其制作方法、晶体管和设备 | 2025/05/21 |
| 2021101791185 | 【发明】一种基于正离子注入的增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管 | 2025/04/21 |
| 2016110512594 | 【发明】一种改进的结型场效应管 | 2025/04/11 |
| 2021110318519 | 【发明】一种基于锯齿形锗烯纳米带的半金属材料的制备装置 | 2025/07/18 |
| 2022225058340 | 【实用新型】一种耦合板HEMT器件 | 2025/06/26 |
| 2022225058209 | 【实用新型】一种肖特基势垒二极管 | 2025/02/25 |
| 2022216898058 | 【实用新型】一种氮化镓高电子迁移率晶体管 | 2025/06/26 |
