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摘 要:本申请属于半导体集成电路技术领域,特别是涉及一种双极结型晶体管及其制备方法。现有双极结型晶体管增益小特征频率小,并要求小尺寸化。本申请提供了一种双极结型晶体管,在第一方向上,包括依次设置的n型Si衬底、p+发射区、SiO2浅沟道隔离结构、SiO2层、鳍型半导体n型基区、SiC应变外延层和P型集电区,第一方向为由衬底指向P型集电区的方向;鳍型半导体n型基区上设置有P型集电区;SiO2层上设置有发射极接触,SiC应变外延层上设置有基极接触,P型集电区上设置有集电极接触;SiC应变外延层对鳍型半导体n型基区和P型集电区同时施加单轴压应力,空穴迁移率增加,减小基区与集电区渡越时间,增加器件的特征频率。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202111113203.8 | 专利名称: | 一种双极结型晶体管及其制备方法 |
申请日: | 2021-09-23 | 申请/专利权人 | 燕山大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 河北省秦皇岛市河北大街西段438号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/06搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2023-11-07 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN113851526B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |