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| 专利/申请号： | CN202110547013.0 | 专利名称： | 掺杂浓度渐变的圆形漂移区半导体器件及其制备方法 |
| 申请日： | 2021-05-19 | 申请/专利权人 | 济南大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 山东省济南市市中区南辛庄西路336号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L29/06 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2022-10-25 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN113270481B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 62 | 所属领域： | 半导体专利转让搜索 |
摘 要：本发明公开了一种掺杂浓度渐变的圆形漂移区半导体器件及其制备方法，包括：半导体衬底，以及位于半导体衬底表面的漂移区；所述漂移区与半导体衬底之间的边界为圆弧；在所述漂移区全部区域或者设定的部分区域内，其各位置的掺杂浓度处于到之间，其中，Ec为漂移区材料的临界击穿电场强度，ε0为真空介电常数，εr为漂移区材料的相对介电常数，q为单位电荷量，R为相应位置到所述圆弧所在圆心的距离。本发明通过将器件的掺杂浓度渐变，会使器件的电场集中效应对电场的影响与漂移区空间电荷区对电场的影响相互抵消，从而使器件获得极佳的耐压能力。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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