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摘 要:本发明公开了一种氮化镓功率器件及其制备方法,包括:半导体衬底,设置在半导体衬底上方的缓冲介质层,缓冲介质层上方设有漂移区氮化镓层;所述漂移区氮化镓层的全部区域或设定部分区域内的厚度沿器件耐压状态下低电位电极到高电位电极的方向逐渐增加,从而使衬底产生的场板效果符合电场优化需求。本发明结构中漂移区氮化镓层厚度在水平方向上沿电位升高的方向不断增大,从而增大低电位处的场板作用,降低高电位处的场板作用,从而使器件获得更好的电场调制效果,增加器件的耐压能力。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110545627.5 | 专利名称: | 一种氮化镓功率器件及其制备方法 |
申请日: | 2021-05-19 | 申请/专利权人 | 济南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省济南市市中区南辛庄西路336号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/06搜分类 半导体搜索 |
公开/公告日: | 2021-08-17 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN113270480A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |