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发布日 申请号 专利名称 法律状态 类型 价格 操作
2025/03/18 2022110968691 一种单晶硅表面清洗方法 复制

领域:半导体 芯片 集成电路  分类: H01L21/02

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2025/01/17 2018110282958 一种C3N4改性的TCO玻璃及其制备方法 复制

领域:TCO导电玻璃本体 TCO玻璃本体 TCO玻璃制备方法  分类: H01L21/02

已下证 发明 咨询 收藏
2025/01/02 2017102870243 一种方形晶片加工装置及其工作方法 复制

领域:半导体 晶片加工  分类: H01L21/02

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2025/03/12 2022108679477 一种半导体的制备方法 复制

领域:半导体  分类: H01L21/02

授权未缴费 发明 咨询 收藏
2025/04/07 2019110284360 一种晶圆的清洗方法 复制

领域:半导体  分类: H01L21/02

已下证 发明 8000.0元 收藏
2024/12/12 201910044747X 一种激光清洗硅片或透镜表面颗粒的方法 复制

领域:激光  分类: H01L21/02

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2024/12/06 2018105316600 一种低摩擦含氟洋葱碳膜及其直接在硅基底上制备的方法 复制

领域:其他  分类: H01L21/02

已下证 发明 24000.0元 收藏
2024/03/01 2016110969951 一种低干扰电感结构的制造方法 复制

领域:干 低 港口  分类: H01L21/02

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2025/04/17 2018110602481 一种用于晶圆刻蚀设备的切割装置 复制

领域:半导体制造 芯片生产 单晶硅圆片 晶片加工 晶圆流片加工 硅晶柱切割 电子元件加工  分类: H01L21/02

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2025/03/11 2021101530965 具有非对称周期结构的III族氮化物复合衬底及其加工方法 复制

领域:其他  分类: H01L21/02

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2023/12/13 2021100117316 一种ZnCdS薄膜的制备方法及铜锌锡硫硒太阳电池的制备方法 复制

领域:塑料 C CD Zn 膜的制备方法  分类: H01L21/02

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2023/10/23 2018106956712 一种金属氧化物叠层场效应材料的制备方法 复制

领域:其他  分类: H01L21/02

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2024/03/22 2019106515714 种铜铟镓硫二维纳米结构阵列及其制备方法和应用 复制

领域:阵列 纳米  分类: H01L21/02

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2023/10/17 2018101480697 一种基于温和氢气等离子体的半金属相碲化钼的制备方法 复制

领域:气 等离子体  分类: H01L21/02

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2023/10/17 2017112906152 一种实现非对称传输的微纳金属结构及其制备方法 复制

领域: 微 微生物采样  分类: H01L21/02

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