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摘 要:本发明公开了一种铜铟镓硫二维纳米结构阵列及其制备方法和应用,所述二维纳米结构阵列由在FTO玻璃衬底上生长的规则排列的半导体纳米片团簇构成。本发明是在FTO玻璃衬底上,通过水热法直接生长CuxS纳米片团簇,然后在其上SILAR铟镓硫,再进行退火,使沉积的铟镓硫部分进入到CuxS晶格中,得到铜铟镓硫二维纳米结构阵列。其中,SILAR法能够通过控制沉积循环数来调节沉积薄膜的厚度,同时该方法继承了原子层沉积的优点,可实现薄膜在复杂基底的均匀沉积。本发明制备的二维纳米结构阵列排列有序,周期性好,光吸收性能优良,可用于高效率大面积太阳能电池的制备。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910651571.4 | 专利名称: | 种铜铟镓硫二维纳米结构阵列及其制备方法和应用 |
申请日: | 2019-07-18 | 申请/专利权人 | 商丘师范学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 河南省商丘市平原中路55号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L21/02搜分类 阵列 纳米搜索 |
公开/公告日: | 2021-05-18 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN110364422B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |