本发明公开了一种底部红区短、原生位错少的铸造单晶籽晶铺设方法，包括以下步骤：将直拉单晶硅棒去除头尾、边皮、线切割得到铸造单晶籽晶，对其表面进行喷砂处理，增加其表面粗糙度；从多晶硅块或单晶硅块上切割得到厚片，对厚片表面进行喷砂，增加其表面粗糙度；在坩埚底部铺设第一厚片层；在第一厚片层上铺设铸造单晶籽晶，相邻铸造单晶籽晶之间侧面留有间隙；在每块铸造单晶籽晶上表面正中心位置铺设第二厚片层；第二厚片层上铺设厚片，厚片侧壁紧密贴合，形成第三厚片层，在第三厚片层上放置原生硅料、回收硅料等，当硅料熔化至铸造单晶籽晶层1/2位置时，制造一个垂直方向的温度梯度，从底部向上逐渐凝固得到铸造单晶硅锭。
📄 202011107174X
📂 C30B11_14
👤 南昌大学
📅 2020-10-16
本发明公开了一种多段式单晶硅切片机，涉及单晶硅生产的技术领域，包括操作台、气缸和金刚线，操作台上设有支撑板，支撑板上设有主动轮和从动轮，主动轮和从动轮之间至少设有两组限位轮，金刚线的一端连接主动轮，金刚线的另一端连接从动轮，金刚线均匀缠绕在限位轮上，并在相邻两组限位轮上表面之间形成切割面，操作台上设有限位筒，限位筒的内部设有供单晶硅块穿过的竖直通道，竖直通道的底部出口朝向切割面，竖直通道内部滑动设有调节板，调节板的一侧面与气缸的输出端连接，气缸固定在操作台上，调节板的另一侧设有用于无损固定单晶硅的负压吸引组件。本发明能有效的保证操作人员的安全。
📄 2023105938671
📂 B28D5_04
👤 山西东明光伏科技有限公司
📅 2023-05-24
本实用新型涉及分拣装置技术领域，且公开了一种单晶硅片分拣设备，包括安装盒，所述安装盒的下表面开设有滑槽。本实用新型通过设置螺纹杆、一号活动块、二号活动块、三号活动块和四号活动块，当一号电机开始运行时，螺纹杆会发生旋转并使得一号活动块和一号带动杆开始向左移动，此时二号活动块和二号带动杆会在一号带动杆的带动下开始向前移动，然后二号带动杆的移动又会带动三号活动块，使得三号活动块和三号带动杆向右移动，最终三号带动杆的移动会带动四号活动块，使得四号活动块向后的方向移动，随着一号活动块、二号活动块、三号活动块和四号活动块的移动，四个负压吸盘的位置会发生改变。
📄 202423245067X
📂 H10P72_00
👤 苏州岽睿微电子科技有限公司
📅 2024-12-27
本实用新型公开了一种单晶硅炉腔体的底部加热装置及压力容器，该底部加热装置包括石墨加热器及电极，石墨加热器包括加热器本体及电极脚，加热器本体包括二个主体部、第一加热部、第二加热部及第三加热部，第二加热部位于第一加热部、第三加热部之间，且第二加热部的加热总面积大于第一加热部的加热总面积，第三加热部的加热总面积小于或等于第三加热部的加热总面积。上述底部加热装置通过在原石墨加热器结构的基础上，将其分成第一加热部、第二加热部及第三加热部，根据坩埚加热区域的区别，以第二加热部的加热总面积为最大，以节约其他部位的加热用能，降低能耗。
📄 2023235923168
📂 C30B29_06
👤 迪森(常州)能源装备有限公司
📅 2023-12-28
本实用新型公开了一种单晶硅炉腔体内导流筒及压力容器，该导流筒包括筒本体，筒本体内设有主导流腔及辅助导流腔，主导流腔分为第一腔体、第二腔体及第三腔体，第一腔体呈逐渐缩小，第二腔体呈直筒状，第三腔体呈逐渐增大；辅助导流腔的两端分别贯穿筒本体顶面、第三腔体的下端壁面。上述导流筒通过主导流腔的作用，使氩气流能够沿着主导流腔从逐步增大，到尾端时呈逐步减弱，以减弱尾端对晶棒的冲刷，避免氩气流冲刷至硅液面上，发生溅液现象，并在主导流腔的基础上，增设有辅助导流腔，通过辅助导流腔内的氩气流补充主导流腔所减弱的气流部分，保证有充足的氩气流对晶棒表面进行冷却，从而保证晶棒的拉制速度及质量。
📄 2023234016981
📂 C30B15_00
👤 迪森(常州)能源装备有限公司
📅 2023-12-14
本发明涉及压力变送器领域，公开了一种单晶硅压力变送器温度补偿改进方法。将温度传感器封装在单晶硅压力传感器内部，通过单晶硅压力传感器获取变送器的压力数据；通过温度传感器获取单晶硅压力变送器的温度数据；调整变送器零点，校准压力测量与输出下限。对数据进行预处理，利用插值运算法和查表法，对压力数据以及温度数据进行补偿运算，得到压力和温度数据矩阵；基于压力和温度数据矩阵，利用曲线拟合算法得到补偿模型，进一步利用补偿模型进行变送器的温度自动补偿。与现有技术相比，本发明通过对变送器采集的数据进行标定、分析、拟合，来实现通过温度补偿降低变送器的精度影响因素，同时达到温度自动补偿的效果。
📄 202310346490X
📂 G01L19_04
👤 淮阴工学院
📅 2023-04-03
本发明涉及单晶硅片加工技术领域，特别涉及一种递进式单晶硅片磨削加工装置及其加工方法。包括储液罐与加工台，所述加工台上设置有横梁，所述横梁的中心处安装有第一电机；所述第一电机的输出端传动连接有十字支架，所述十字支架的底端设置有加工组件；所述加工组件包括第一联动轴，所述第一联动轴上套设有第一安装台，所述第一安装台上设置有电动转盘，所述电动转盘的中心处安装有第一电动推杆，所述第一电动推杆的输出端固定连接有磨削机构；通过第一电机带动十字支架转动，使加工组件转移至靠近单晶硅片的一侧，通过磨削机构与电动转盘配合对单晶硅片进行预设厚度值的递进式螺旋磨削加工。
📄 2025112636919
📂 B24B7_22
👤 江苏矽腾半导体材料有限公司
📅 2025-09-05
本发明涉及半导体硅材料加工技术领域，且公开了一种单晶硅的磨削方法，该方法针对单晶硅硅片的磨削加工，主要步骤包括，将硅棒切割成多个硅片样本，并按照不同应用领域设定硅片厚度，将硅片样本的切割面作为磨削面，并设定磨削阶段，包括磨削准备、加工和后处理阶段，对磨削面进行光照分析，通过不同投射方式获取光照分析图，识别磨削面上的凸起和凹陷区域，利用阴影区域获取策略和阴影区域匹配策略，确定磨削面上的缺陷位置，根据识别的凸起和凹陷区域，执行磨削策略，包括磨削点位的确定和凸起区域的磨削。
📄 2024117711061
📂 B24B1_00
👤 江苏矽腾半导体材料有限公司
📅 2024-12-04
本发明提供了一种晶体生长炉的模型构建方法和电子设备，涉及晶体生长技术领域，该方法包括：根据加热器，构建与加热器对应的第一三维图形；根据与加热器配合设置的电极以及加热器的第一中心轴线与电极的第二中心轴线之间的第一距离，构建与电极对应的第二三维图形；根据第一三维图形构建加热器对应的二维加热器模型，根据第二三维图形构建电极对应的二维电极模型；获取加热器的第一功率密度和电极的第二功率密度；将第一功率密度加载到二维加热器模型，将第二功率密度加载到二维电极模型；基于二维加热器模型和二维电极模型对晶体生长炉进行数值模拟。本发明实施例提高了对晶体生长炉进行数值模拟得到的模拟结果的准确性。
📄 2025107722308
📂 G06F30_20
👤 西安交通大学
📅 2025-06-11
本发明实施例提供了一种熔体法晶体生长的外加行波磁场控制方法，其中，本发明实施例所提供的熔体法晶体生长的外加行波磁场控制方法，先基于反映晶体生长炉内部件屏蔽作用强弱的屏蔽因子对晶体生长炉模型进行简化，再基于该简化后的晶体生长炉模型调整电流频率，能够更简便地确定出洛伦兹力与炉壁间隙、电流频率之间的关系曲线，进而可以基于该关系曲线结合实际的晶体生长炉的炉壁间隙施加使得熔体中洛伦兹力达到最大值的目标电流频率，从而实现产生同等大小的洛伦兹力所需的通入电流较小，达到控制熔体流动及节能降耗的目的。
📄 2025104950478
📂 C30B11_00
👤 西安交通大学
📅 2025-04-21
本申请提供了一种基于深度学习的直拉法单晶硅热场估计方法、装置和产品，涉及单晶硅制备技术领域，所述方法包括：获取直拉法制备单晶硅过程中的历史工况数据；基于本轮训练的共享参数，训练热场估计模型，得到本轮训练的输出结果；根据本轮训练的共享参数，以及具有高斯分布的动量变量，更新得到下一轮训练的共享参数；根据损失函数值对热场估计模型进行参数优化；基于下一轮训练的共享参数，对热场估计模型进行下一轮训练，直至达到预设训练次数；将最后S轮训练所得到的输出数据中的温度预测值的平均值，确定为对应位置的温度值，根据最后S轮训练所得到的输出数据中的温度预测值的标准差，确定热场估计模型的不确定性衡量值。
📄 2024104689835
📂 G06F30_27
👤 西安交通大学
📅 2024-04-18
本发明公开了一种增加一次投料晶锭厚度的碳化硅晶体生长方法，具体步骤包括：选定所使用的坩埚，根据实验结果和温场模拟确定该坩埚内腔填粉区域的高温区域；分别确定两种不同粒径的碳化硅粉的数量，并将其区分为大粒径碳化硅粉源和小粒径碳化硅粉源；在坩埚内腔填装碳化硅粉源，将小粒径碳化硅粉源装入高温区域中，将大粒径碳化硅粉源置于非高温区域，并在碳化硅粉源中设置石墨柱；将坩埚装入晶体生长设备中进行粉源烧结和除杂；从坩埚中取出石墨柱；进行晶体生长操作。本发明解决了现有技术中源-衬距逐渐减小影响所制备晶锭厚度的问题。
📄 201210411420X
📂 C30B23_00
👤 西安理工大学
📅 2012-10-25
柿子坊 · 知识产权运营
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