发明专利已授权

一种单晶硅压力变送器的温度补偿改进方法

📄 申请号：CN202310346490.X 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2023-04-03

公开号

CN116296047B

公开日

2023-09-29

申请人

淮阴工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G01L19_04

IPC 分类号

G01L19_04

技术画像

所属领域

变送器压力传感器温度补偿单晶硅传感器变送器

应用场景

工业自动化, 过程控制, 石油化工, 电力监测, 仪器仪表

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摘要

本发明涉及压力变送器领域，公开了一种单晶硅压力变送器温度补偿改进方法。将温度传感器封装在单晶硅压力传感器内部，通过单晶硅压力传感器获取变送器的压力数据；通过温度传感器获取单晶硅压力变送器的温度数据；调整变送器零点，校准压力测量与输出下限。对数据进行预处理，利用插值运算法和查表法，对压力数据以及温度数据进行补偿运算，得到压力和温度数据矩阵；基于压力和温度数据矩阵，利用曲线拟合算法得到补偿模型，进一步利用补偿模型进行变送器的温度自动补偿。与现有技术相比，本发明通过对变送器采集的数据进行标定、分析、拟合，来实现通过温度补偿降低变送器的精度影响因素，同时达到温度自动补偿的效果。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：34 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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