发明专利已授权

一种熔体法晶体生长的外加行波磁场控制方法

📄 申请号：CN202510495047.8 📄 发布日：2026/07/24

著录项目信息

申请日

2025-04-21

公开号

CN120006373B

公开日

2025-07-04

申请人

西安交通大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B11_00

IPC 分类号

C30B11_00 , C30B29_40 , C30B30_04 ,

技术画像

所属领域

控制方法晶体生长磁场控制材料制备控制方法

应用场景

半导体单晶制备, 光学晶体生长, 化合物半导体晶体生长, 激光晶体制造, 人工晶体材料

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摘要

本发明实施例提供了一种熔体法晶体生长的外加行波磁场控制方法，其中，本发明实施例所提供的熔体法晶体生长的外加行波磁场控制方法，先基于反映晶体生长炉内部件屏蔽作用强弱的屏蔽因子对晶体生长炉模型进行简化，再基于该简化后的晶体生长炉模型调整电流频率，能够更简便地确定出洛伦兹力与炉壁间隙、电流频率之间的关系曲线，进而可以基于该关系曲线结合实际的晶体生长炉的炉壁间隙施加使得熔体中洛伦兹力达到最大值的目标电流频率，从而实现产生同等大小的洛伦兹力所需的通入电流较小，达到控制熔体流动及节能降耗的目的。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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