发明专利 已授权

一种单晶硅的磨削方法

📄 申请号:CN202411771106.1 📄 发布日:2026/08/03

著录项目信息

申请日
2024-12-04
公开号
CN119217157B
公开日
2025-05-16
申请人
江苏矽腾半导体材料有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

半导体晶圆制造, 集成电路制造, 太阳能电池制造, 芯片封装

摘要

本发明涉及半导体硅材料加工技术领域,且公开了一种单晶硅的磨削方法,该方法针对单晶硅硅片的磨削加工,主要步骤包括,将硅棒切割成多个硅片样本,并按照不同应用领域设定硅片厚度,将硅片样本的切割面作为磨削面,并设定磨削阶段,包括磨削准备、加工和后处理阶段,对磨削面进行光照分析,通过不同投射方式获取光照分析图,识别磨削面上的凸起和凹陷区域,利用阴影区域获取策略和阴影区域匹配策略,确定磨削面上的缺陷位置,根据识别的凸起和凹陷区域,执行磨削策略,包括磨削点位的确定和凸起区域的磨削。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

议价
不含过户费

📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:20 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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