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一种底部红区短、原生位错少的铸造单晶籽晶铺设方法

Name: 一种底部红区短、原生位错少的铸造单晶籽晶铺设方法
Brand: 南昌大学
SKU: 202011107174X
Availability: InStock

📄 申请号：CN202011107174.X 📄 发布日：2026/09/29

著录项目信息

申请日

2020-10-16

公开号

CN112458530B

公开日

2022-03-22

申请人

南昌大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B11_14

IPC 分类号

C30B11_14 , C30B29_06 ,

技术画像

所属领域

铸造单晶硅铸造单晶硅晶体生长籽晶铺设

应用场景

光伏发电, 太阳能电池, 单晶硅铸锭, 半导体材料

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摘要

本发明公开了一种底部红区短、原生位错少的铸造单晶籽晶铺设方法，包括以下步骤：将直拉单晶硅棒去除头尾、边皮、线切割得到铸造单晶籽晶，对其表面进行喷砂处理，增加其表面粗糙度；从多晶硅块或单晶硅块上切割得到厚片，对厚片表面进行喷砂，增加其表面粗糙度；在坩埚底部铺设第一厚片层；在第一厚片层上铺设铸造单晶籽晶，相邻铸造单晶籽晶之间侧面留有间隙；在每块铸造单晶籽晶上表面正中心位置铺设第二厚片层；第二厚片层上铺设厚片，厚片侧壁紧密贴合，形成第三厚片层，在第三厚片层上放置原生硅料、回收硅料等，当硅料熔化至铸造单晶籽晶层1/2位置时，制造一个垂直方向的温度梯度，从底部向上逐渐凝固得到铸造单晶硅锭。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN112458530B

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：3 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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