本发明公开了一种多段式单晶硅切片机，涉及单晶硅生产的技术领域，包括操作台、气缸和金刚线，操作台上设有支撑板，支撑板上设有主动轮和从动轮，主动轮和从动轮之间至少设有两组限位轮，金刚线的一端连接主动轮，金刚线的另一端连接从动轮，金刚线均匀缠绕在限位轮上，并在相邻两组限位轮上表面之间形成切割面，操作台上设有限位筒，限位筒的内部设有供单晶硅块穿过的竖直通道，竖直通道的底部出口朝向切割面，竖直通道内部滑动设有调节板，调节板的一侧面与气缸的输出端连接，气缸固定在操作台上，调节板的另一侧设有用于无损固定单晶硅的负压吸引组件。本发明能有效的保证操作人员的安全。
📄 2023105938671
📂 B28D5_04
👤 山西东明光伏科技有限公司
📅 2023-05-24
本实用新型涉及分拣装置技术领域，且公开了一种单晶硅片分拣设备，包括安装盒，所述安装盒的下表面开设有滑槽。本实用新型通过设置螺纹杆、一号活动块、二号活动块、三号活动块和四号活动块，当一号电机开始运行时，螺纹杆会发生旋转并使得一号活动块和一号带动杆开始向左移动，此时二号活动块和二号带动杆会在一号带动杆的带动下开始向前移动，然后二号带动杆的移动又会带动三号活动块，使得三号活动块和三号带动杆向右移动，最终三号带动杆的移动会带动四号活动块，使得四号活动块向后的方向移动，随着一号活动块、二号活动块、三号活动块和四号活动块的移动，四个负压吸盘的位置会发生改变。
📄 202423245067X
📂 H10P72_00
👤 苏州岽睿微电子科技有限公司
📅 2024-12-27
本实用新型公开了一种单晶硅炉腔体的底部加热装置及压力容器，该底部加热装置包括石墨加热器及电极，石墨加热器包括加热器本体及电极脚，加热器本体包括二个主体部、第一加热部、第二加热部及第三加热部，第二加热部位于第一加热部、第三加热部之间，且第二加热部的加热总面积大于第一加热部的加热总面积，第三加热部的加热总面积小于或等于第三加热部的加热总面积。上述底部加热装置通过在原石墨加热器结构的基础上，将其分成第一加热部、第二加热部及第三加热部，根据坩埚加热区域的区别，以第二加热部的加热总面积为最大，以节约其他部位的加热用能，降低能耗。
📄 2023235923168
📂 C30B29_06
👤 迪森(常州)能源装备有限公司
📅 2023-12-28
本实用新型公开了一种单晶硅炉腔体内导流筒及压力容器，该导流筒包括筒本体，筒本体内设有主导流腔及辅助导流腔，主导流腔分为第一腔体、第二腔体及第三腔体，第一腔体呈逐渐缩小，第二腔体呈直筒状，第三腔体呈逐渐增大；辅助导流腔的两端分别贯穿筒本体顶面、第三腔体的下端壁面。上述导流筒通过主导流腔的作用，使氩气流能够沿着主导流腔从逐步增大，到尾端时呈逐步减弱，以减弱尾端对晶棒的冲刷，避免氩气流冲刷至硅液面上，发生溅液现象，并在主导流腔的基础上，增设有辅助导流腔，通过辅助导流腔内的氩气流补充主导流腔所减弱的气流部分，保证有充足的氩气流对晶棒表面进行冷却，从而保证晶棒的拉制速度及质量。
📄 2023234016981
📂 C30B15_00
👤 迪森(常州)能源装备有限公司
📅 2023-12-14
本发明涉及压力变送器领域，公开了一种单晶硅压力变送器温度补偿改进方法。将温度传感器封装在单晶硅压力传感器内部，通过单晶硅压力传感器获取变送器的压力数据；通过温度传感器获取单晶硅压力变送器的温度数据；调整变送器零点，校准压力测量与输出下限。对数据进行预处理，利用插值运算法和查表法，对压力数据以及温度数据进行补偿运算，得到压力和温度数据矩阵；基于压力和温度数据矩阵，利用曲线拟合算法得到补偿模型，进一步利用补偿模型进行变送器的温度自动补偿。与现有技术相比，本发明通过对变送器采集的数据进行标定、分析、拟合，来实现通过温度补偿降低变送器的精度影响因素，同时达到温度自动补偿的效果。
📄 202310346490X
📂 G01L19_04
👤 淮阴工学院
📅 2023-04-03
本发明涉及单晶硅片加工技术领域，特别涉及一种递进式单晶硅片磨削加工装置及其加工方法。包括储液罐与加工台，所述加工台上设置有横梁，所述横梁的中心处安装有第一电机；所述第一电机的输出端传动连接有十字支架，所述十字支架的底端设置有加工组件；所述加工组件包括第一联动轴，所述第一联动轴上套设有第一安装台，所述第一安装台上设置有电动转盘，所述电动转盘的中心处安装有第一电动推杆，所述第一电动推杆的输出端固定连接有磨削机构；通过第一电机带动十字支架转动，使加工组件转移至靠近单晶硅片的一侧，通过磨削机构与电动转盘配合对单晶硅片进行预设厚度值的递进式螺旋磨削加工。
📄 2025112636919
📂 B24B7_22
👤 江苏矽腾半导体材料有限公司
📅 2025-09-05
本发明涉及半导体硅材料加工技术领域，且公开了一种单晶硅的磨削方法，该方法针对单晶硅硅片的磨削加工，主要步骤包括，将硅棒切割成多个硅片样本，并按照不同应用领域设定硅片厚度，将硅片样本的切割面作为磨削面，并设定磨削阶段，包括磨削准备、加工和后处理阶段，对磨削面进行光照分析，通过不同投射方式获取光照分析图，识别磨削面上的凸起和凹陷区域，利用阴影区域获取策略和阴影区域匹配策略，确定磨削面上的缺陷位置，根据识别的凸起和凹陷区域，执行磨削策略，包括磨削点位的确定和凸起区域的磨削。
📄 2024117711061
📂 B24B1_00
👤 江苏矽腾半导体材料有限公司
📅 2024-12-04
本申请提供了一种基于深度学习的直拉法单晶硅热场估计方法、装置和产品，涉及单晶硅制备技术领域，所述方法包括：获取直拉法制备单晶硅过程中的历史工况数据；基于本轮训练的共享参数，训练热场估计模型，得到本轮训练的输出结果；根据本轮训练的共享参数，以及具有高斯分布的动量变量，更新得到下一轮训练的共享参数；根据损失函数值对热场估计模型进行参数优化；基于下一轮训练的共享参数，对热场估计模型进行下一轮训练，直至达到预设训练次数；将最后S轮训练所得到的输出数据中的温度预测值的平均值，确定为对应位置的温度值，根据最后S轮训练所得到的输出数据中的温度预测值的标准差，确定热场估计模型的不确定性衡量值。
📄 2024104689835
📂 G06F30_27
👤 西安交通大学
📅 2024-04-18
本发明提供一种硅基太阳能电池及其单晶硅片钝化方法，包括如下步骤，1)单晶硅片的清洗：对单晶硅进行清洗去除其表面的氧化层和金属离子以及有机物；2)单晶硅片脱水：将清洗干净的单晶硅片进行干燥脱水；3)氢化非晶硅锗的沉积：将干燥的单晶硅片放入等离子增强化学气相沉积系统中预热，在180℃‑220℃的沉积温度和10W‑20W的等离子体激发功率下，在硅烷、锗烷和氢气气氛中对单晶硅片双面进行氢化非晶硅锗的沉积后，完成对单晶硅片的钝化。本发明所述的钝化方法，在180℃‑220℃的环境中可以实现整个钝化过程，降低了热损伤。整个钝化过程中等离子激发功率10W‑20W，降低了等离子体的损伤。少子寿命高，钝化效果好。
📄 2015105366076
📂 H01L31_18
👤 陕西师范大学
📅 2015-08-27
本发明一种单晶硅基异质结太阳能电池及其制备方法，所述电池包括依次层叠的ITO层、a‑Si p层、a‑Si i层、基底、a‑Si i层、a‑Si n层和ITO层，以及在ITO层和a‑Si p层间插入高掺杂的a‑Si p+层，或在ITO层和a‑Si n层间插入高掺杂的a‑Si n+层。所述方法将基底在等离子增强化学气相沉积设备中，分步进行异质结太阳能电池的a‑Si i层、a‑Si n层和a‑Si p层沉积；在电池的a‑Si p/ITO层界面或a‑Si n/ITO层界面中沉积高掺杂的a‑Si p+层或高掺杂的a‑Si n+；最后沉积ITO电极得到硅基异质结太阳能电池。
📄 2016107853682
📂 H01L31_0352
👤 陕西师范大学
📅 2016-08-30
本发明公开的电火花线切割单晶硅的放电间隙控制系统，包括电火花线切割机床和脉冲电源，电火花线切割机床的单晶硅工件和切割线分别连接于脉冲电源的正极和负极上，电火花线切割机床的单晶硅工件进给方向依次设置有步进电机和电机驱动器，电机驱动器通过AD转换器依次连接有数据采集器和计算机，电火花线切割机床的放电回路分别串联有采样电阻，且采样电阻与AD转换器连接，使加工过程中电火花放电间隙保持在合理的范围内，避免开路或者短路的产生，提高了单晶硅工件的表面质量，本发明的的放电间隙控制方法，对于实现单晶硅半导体的电火花线切割加工，获得良好的晶片加工表面质量和加工效率具有重要的意义。
📄 2018100732991
📂 B23H7_02
👤 西安理工大学
📅 2018-01-25
本发明提供的一种单晶硅光伏电池裂纹缺陷的检测方法，将无缺陷单晶硅光伏电池图像的边缘点特征进行聚类分析，通过判断待检图像的边缘点是否处于所有类簇之中，从而找到缺陷点所在，实现了单晶硅光伏电池图像裂纹缺陷的检测；具体地，是利用改进的Haar‑l ike提取边缘点的特征，利用极值聚类对特征向量进行聚类，形成类簇，接着改变极值聚类的聚类中心，能显著地提高单晶硅光伏电池裂纹缺陷检测的准确率；同时在聚类过程中只使用采集到的无缺陷图像，省略了收集缺陷图像的过程；该检测方法不依赖于人为检测经验，检测准确率高，降低了检测成本。
📄 2021101659904
📂 G06T7_00
👤 西安理工大学
📅 2021-02-05
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