发明专利已授权

一种基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法

Name: 一种基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法
Brand: 广东工业大学
SKU: 2021104252266
Availability: InStock

📄 申请号：CN202110425226.6 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-04-20

申请人

广东工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_67

IPC 分类号

H01L21_67 , H01L21_683 , H01L33_48 ,

技术画像

所属领域

芯片巨量转移芯片巨量转移半导体制造工艺显示面板制造

应用场景

Micro LED显示, 半导体封装, LED显示屏制造, 柔性电子制造

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摘要

本发明涉及半导体加工的技术领域，更具体地，涉及一种基于滚筒的基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法，包括以下步骤：S10.选择柔性拉伸膜，将芯片转移到临时键合胶层；S20.分别沿X方向及Y方向拉伸柔性拉伸膜，直至X方向及Y方向上芯片间距扩张至设定值；S30.激光照射临时键合胶层，芯片脱离临时键合胶层并转移至承载基板，完成单种类型芯片的巨量转移；S40.重复步骤S10～S30，依次完成多种类型芯片的巨量转移；步骤S20中，X方向、Y方向至少一个方向上，控制第一滚筒与第二滚筒之间的转速比或控制第一滚筒与第二滚筒之间的距离实现柔性拉伸膜的拉伸扩张。本发明柔性拉伸膜各处可均匀拉伸，芯片间距可均匀扩张，从而可有效提高芯片转移的准确率。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号：

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20230106

✅ 授权

20210903

?? 实质审查的生效：

20210817

📄 公开

临时键合/解键合的材料及其制备方法和应用

当前第 / 件

一种静电场控制的芯片阵列扩张和巨量转移方法及其系统

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