稀磁半导体及其制备方法

著 录 项 目：

应用场景：自旋电子器件制造;信息存储技术应用;高性能传感器开发

摘     要：本发明提供了一种稀磁半导体的制备方法，制备方法包括如下步骤：制备复合氧化铟靶材；提供氧化铝基片，并对氧化铝基片进行清洗和抛光，得到第一氧化铝基片；将第一氧化铝基片放入真空室进行预溅射，得到第二氧化铝基片；利用脉冲激光沉积方法，在第二氧化铝基片上沉积氧化铜薄膜，得到第一复合氧化铝基片；利用脉冲激光沉积方法，在第一复合氧化铝基片上沉积氧化亚铜薄膜，得到第二复合氧化铝基片；利用脉冲激光沉积方法，在第二复合氧化铝基片上沉积铁钴钆掺杂的氧化铟薄膜。本发明通过氧化铟薄膜中掺杂铁、钴、钆原子，大幅度提高了稀磁半导体的磁性能，使得复合薄膜能够有效的用于存储器件。

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期	法律信息	备注
  2025/08/08	专利权的转移	登记生效日: 2025.07.24 专利权人由乐清海创智能科技有限公司变更为深圳市隆昌润科技有限公司 国家或地区由中国变更为中国 地址由325600 浙江省温州市乐清市虹桥镇虹淡路155号变更为518000 广东省深圳市南山区南头街道马家龙社区南山大道3186号明江大厦D单元406
  2020/05/12	授权
  2020/05/05	专利申请权的转移	登记生效日: 2020.04.15 申请人由深圳万佳互动科技有限公司变更为乐清海创智能科技有限公司 地址由518101 广东省深圳市宝安区新安街道新安湖花园23栋203变更为325600 浙江省温州市乐清市虹桥镇虹淡路155号
  2018/07/17	实质审查的生效	IPC(主分类): C01G 15/00 专利申请号: 201711493907.6 申请日: 2017.12.31
  2018/06/22	公开

• 申请号	专利名称	发布日期
  2023215626760	【实用新型】一种力度可调的硅片夹持机构	2025/11/04
  2022223650150	【实用新型】一种晶闸管模块封装设备	2025/10/31
  2025107400802	【发明】太阳能光伏电池板制作用硅片高效清洗设备	2025/10/29
  2021111902856	【发明】一种用于光伏设备的检测装置及其检测方法	2025/10/28
  2018116314717	【发明】一种二极管引脚的修整切裁装置	2025/10/24
  2022112698269	【发明】一种用于承载硅片的石墨舟及其使用方法	2025/10/24
  2021220232026	【实用新型】一种用于通讯设备半导体加工的夹持装置	2025/10/23
  2022223274932	【实用新型】一种用于贴片机的防护装置	2025/10/23
  2024226942713	【实用新型】QFN封装键合夹具	2025/10/20
  2019105748651	【发明】一种离子检测器及其制备方法	2025/10/17