发明专利已授权

一种静电场控制的芯片阵列扩张和巨量转移方法及其系统

📄 申请号：CN202110426987.3 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-04-20

申请人

广东工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_683

IPC 分类号

H01L21_683 , H01L21_67 , H01L33_48 ,

技术画像

所属领域

巨量转移技术巨量转移技术静电控制技术芯片阵列制造

应用场景

Micro LED显示, 半导体芯片封装, 微电子组装, 显示面板制造, 光电器件制造

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摘要

本发明涉及半导体加工的技术领域，更具体地，涉及一种静电场控制的芯片阵列扩张和巨量转移方法及其系统，包括以下步骤：S10.将芯片转移到垂直阵列排布的线束末端的抓头上；S20.控制线束与电场发生器的相对电压调整线束散开的弧度；S30.检测线束末端芯片是否处于同一水平面，修正局部芯片高度至芯片高度位于同一水平面；S40.检测芯片间距，当芯片间距处于合适间距时，将线束末端的芯片对准承载基板的目标焊盘；S50.使芯片脱离转移至承载基板的目标焊盘上；S60.依次完成多种类型的芯片向同一承载基板上的巨量转移。本发明通过调控静电场以调控线束的弯曲扩散，从而对芯片间距进行高精度的阵列扩张和转移，简化了芯片巨量转移的工艺流程，提高了芯片转移效率。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20220802

✅ 授权

20210903

?? 实质审查的生效：

20210817

📄 公开

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