发明专利已授权

一种绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管及其制造方法

📄 申请号：CN201711409355.6 📄 发布日：2026/06/04

著录项目信息

申请日

2017-12-22

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_08

IPC 分类号

H01L29_08 , H01L29_737 , H01L21_331 ,

技术画像

所属领域

异质结双极晶体管异质结双极晶体管半导体器件半导体制造工艺

应用场景

5G通信, 射频集成电路, 高速通信, 雷达系统, 卫星通信

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摘要

本发明公开了一种绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管，包括低掺杂单晶硅衬底层及设置在所述低掺杂单晶硅衬底层上的基区、发射区及集电区，所述低掺杂单晶硅衬底层上与所述基区、发射区及集电区之间设置有二氧化硅绝缘层，所述发射区包括重掺杂应变硅发射区层。本发明利用绝缘体衬底可以起到减小寄生电容、增强绝缘的作用，使双极晶体管达到的速度更快、频率更高，还可以与金属‑氧化物半导体场效应晶体管相结合，形成BiCMOS工艺，可广泛应用与集成电路的设计与制造中。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20200110

✅ 授权

20180612

?? 实质审查的生效：

20180518

📄 公开

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：43 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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