发明专利已授权

一种采用组合发射区的异质结双极晶体管及其制造方法

📄 申请号：CN201810053672.7 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-01-19

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_08

IPC 分类号

H01L29_08 , H01L29_737 , H01L21_331 ,

技术画像

所属领域

异质结双极晶体管半导体器件微电子制造射频器件晶体管异质结双极晶体管

应用场景

无线通信, 射频功率放大, 通信基站, 雷达系统, 高频集成电路

AI 智能推荐 · 同申请人专利 · 搜索相似专利

摘要

本申请公开了一种采用组合发射区的异质结双极晶体管，包括单晶硅衬底层及设置在单晶硅衬底层上的集电区及基区，还包括设置在单晶硅衬底层上的组合发射区，组合发射区包括由下至上依次设置的重掺杂应变Si1‑zGez层、应变硅层及多晶硅重掺杂发射极，其中，z为大于0且小于1的自然数。与现有技术中的异质结双极晶体管相比，本申请中的采用组合发射区的异质结双极晶体管减小了由基区注入到发射区的空穴电流密度，提高器件的放大系数。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20210420

✅ 授权

20180731

?? 实质审查的生效：

20180706

📄 公开

一种面向中国移动智能客服的对话场景分类方法

当前第 / 件

基于多粒度属性树的属性约简在文本分类中的应用方法

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_08)

H01L29_06 H01L29_08 H01L29_10 H01L29_20 H01L29_24 H01L29_40 H01L29_41 H01L29_417 H01L29_423 H01L29_47 H01L29_51 H01L29_73 H01L29_737 H01L29_739 H01L29_74 H01L29_745 H01L29_772 H01L29_778 H01L29_78 H01L29_786 H01L29_788 H01L29_861 H01L29_868 H01L29_872 H01L29_88 H01L29_93 覆盖26个领域

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：40 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 0件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

李** 企业¥-8万

陈**¥-3万

查看全部出价

我要出价 (议价)

一种采用组合发射区的异质结双极晶体管及其制造方法

著录项目信息

技术画像

所属领域

应用场景

摘要

法律状态时间线

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_08)

相似专利推荐 AI 驱动 · 同领域

一种太赫兹SOI复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管及制备方法

GAA结构的异质结双极晶体管及其制备方法

全平面太赫兹复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管及制备方法

服务项目

资源中心

关于柿子坊