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24小时咨询热线著 录 项 目：
| 专利/申请号： | CN201810053672.7 | 专利名称： | 一种采用组合发射区的异质结双极晶体管及其制造方法 |
| 申请日： | 2018-01-19 | 申请/专利权人 | 重庆邮电大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 重庆市南岸区南山街道崇文路2号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L29/08 分类检索 |
| 公开/公告日： | 转让价格： | 【平台担保交易】 | |
| 公开/公告号： | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 | |
| 浏览量： | 25 | 所属领域： | 其他专利转让搜索 |
摘 要：本申请公开了一种采用组合发射区的异质结双极晶体管，包括单晶硅衬底层及设置在单晶硅衬底层上的集电区及基区，还包括设置在单晶硅衬底层上的组合发射区，组合发射区包括由下至上依次设置的重掺杂应变Si1‑zGez层、应变硅层及多晶硅重掺杂发射极，其中，z为大于0且小于1的自然数。与现有技术中的异质结双极晶体管相比，本申请中的采用组合发射区的异质结双极晶体管减小了由基区注入到发射区的空穴电流密度，提高器件的放大系数。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2021/04/20 | 授权 | |
| 2018/07/31 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 29/08 专利申请号: 201810053672.7 申请日: 2018.01.19 |
| 2018/07/06 | 公开 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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