器件专利转让:2020114092911一种具有多指栅极高电子迁移率晶体管器件

来源：https://www.shizifang.com 发布日：2023/07/10

摘要：本发明涉及一种具有多指栅极高电子迁移率晶体管器件，属于半导体射频器件技术领域。该InP高电子迁移率晶体管器件结构包括金属源极、金属漏极、金属多指形栅极、金属背栅、In0.53Ga0.47As盖帽层、In0.52Al0.48As肖特基势垒层、In0.52Al0.48As间隔层、In0.7Ga0.3As沟道层、In0.52Al0.48As缓冲层、InP衬底。该器件结构特点在于：使用了多指形栅和背栅作为栅极，并在In0.52Al0.48As肖特基势垒层和In0.7Ga0.3As沟道层引入了两层δ掺杂，减小了栅极的寄生参数，并减弱因缩小栅极尺寸而引起的短沟道效应。本发明在保证器件的正向导通性能不改变的前提下，通过减小栅极寄生参数和引入δ掺杂，能够有效地提高器件的截止频率和最大振荡频率。

著录项：

专利/申请号：	CN202011409291.1 复制	专利名称：	一种具有多指栅极高电子迁移率晶体管器件复制
申请日：	2020-12-04	申请/专利权人	重庆邮电大学
专利类型：	发明	地址：	重庆市南岸区黄桷垭崇文路2号
专利状态：	已下证查询审查信息	分类号：	H01L29/778搜分类电子器件搜索
公开/公告日：	2021-02-26	转让价格：	面议
公开/公告号：	CN112420830A	交易状态：	等待洽谈搜索相似专利

1．买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
2．卖家确认专利可交易；
3．买家支付交易款项到平台；
4．买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
5．办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
6．买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
7．平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。

交易方	企业	个人
买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

日期	法律信息	备注
2022/07/15	授权
2021/03/16	实质审查的生效	IPC(主分类): H01L 29/778 专利申请号: 202011409291.1 申请日: 2020.12.04
2021/02/26	公开

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一种具有多指栅极高电子迁移率晶体管器件

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