发明专利已授权

一种具有多指栅极高电子迁移率晶体管器件

📄 申请号：CN202011409291.1 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2020-12-04

公开号

CN112420830A

公开日

2021-02-26

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_778

IPC 分类号

H01L29_778 , H01L29_423 ,

技术画像

所属领域

高电子迁移率晶体管高电子迁移率晶体管半导体器件栅极结构

应用场景

5G通信, 射频功率放大器, 微波毫米波电路, 雷达系统, 卫星通信

AI 智能推荐 · 同申请人专利 · 搜索相似专利

摘要

本发明涉及一种具有多指栅极高电子迁移率晶体管器件，属于半导体射频器件技术领域。该InP高电子迁移率晶体管器件结构包括金属源极、金属漏极、金属多指形栅极、金属背栅、In0.53Ga0.47As盖帽层、In0.52Al0.48As肖特基势垒层、In0.52Al0.48As间隔层、In0.7Ga0.3As沟道层、In0.52Al0.48As缓冲层、InP衬底。该器件结构特点在于：使用了多指形栅和背栅作为栅极，并在In0.52Al0.48As肖特基势垒层和In0.7Ga0.3As沟道层引入了两层δ掺杂，减小了栅极的寄生参数，并减弱因缩小栅极尺寸而引起的短沟道效应。本发明在保证器件的正向导通性能不改变的前提下，通过减小栅极寄生参数和引入δ掺杂，能够有效地提高器件的截止频率和最大振荡频率。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20220715

✅ 授权

20210316

?? 实质审查的生效：

20210226

📄 公开

持续身份认证系统中的自适应击键行为认证方法及装置

当前第 / 件

一种具有单置换网络的分层半并行LDPC译码器系统

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_778)

H01L29_06 H01L29_08 H01L29_10 H01L29_20 H01L29_24 H01L29_40 H01L29_41 H01L29_417 H01L29_423 H01L29_47 H01L29_51 H01L29_73 H01L29_737 H01L29_739 H01L29_74 H01L29_745 H01L29_772 H01L29_778 H01L29_78 H01L29_786 H01L29_788 H01L29_861 H01L29_868 H01L29_872 H01L29_88 H01L29_93 覆盖26个领域

相似专利推荐 AI 驱动 · 同领域

暂无同领域相似专利推荐

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：13 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 0件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

李** 企业¥-8万

陈**¥-3万

查看全部出价

我要出价 (议价)