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| 专利/申请号： | CN201611183904.8 | 专利名称： | 应用于环形天线的Ge基异质固态等离子二极管的制备方法 |
| 申请日： | 2016-12-20 | 申请/专利权人 | 嘉兴奥恒进出口有限公司 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 浙江省嘉兴市南湖区大桥镇亚太路705号B座7楼B07-01-21 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L21/329 分类检索 |
| 公开/公告日： | 转让价格： | 【平台担保交易】 | |
| 公开/公告号： | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 | |
| 浏览量： | 7 | 所属领域： | 半导体器件制造专利转让搜索 |
应用场景：5G基站射频前端信号放大;卫星通信系统收发组件;雷达波束成形网络;物联网设备无线传输模块;相控阵天线单元集成
摘 要：本发明涉及一种应用于环形天线的Ge基异质固态等离子二极管的制备方法，包括：选取某一晶向的GeOI衬底，并在所述GeOI衬底内设置隔离区；在所述GeOI衬底表面形成第二保护层；利用光刻工艺在所述第二保护层上形成第二隔离区图形；利用干法刻蚀工艺在所述第二隔离区图形的指定位置处刻蚀所述第二保护层及所述GeOI衬底以形成所述P型沟槽和所述N型沟槽；填充所述P型沟槽和所述N型沟槽，并采用离子注入在所述GeOI衬底的顶层Ge内形成P型有源区和N型有源区；在所述GeOI衬底上形成引线，以完成所述Ge基异质固态等离子二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能异质Ge基固态等离子二极管。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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