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| 专利/申请号： | CN202110409410.1 | 专利名称： | 一种高耐压低漏电的Ga2O3肖特基势垒二极管 |
| 申请日： | 2021-04-16 | 申请/专利权人 | 重庆理工大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 重庆市巴南区红光大道69号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | H01L29/872分类检索 电子元器件 低 港口 电子设备和元器件专利转让搜索 |
| 公开/公告日： | 2022-04-29 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN113130667B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要：本发明公开了一种高耐压低漏电的Ga2O3肖特基势垒二极管，包括位于底部的阴极电极，位于所述阴极电极上部的衬底，位于所述衬底上部的漂移层，其特征在于：在所述漂移层的背离衬底面设置有沟槽，所述沟槽具有底壁和侧壁，所述底壁与侧壁的转角处设置圆角；在所述沟槽表面覆盖有随形的Al2O3介电层，在所述介电层表面覆盖有随形的低功函数接触层，在所述漂移层的背离衬底的面上设置有高功函数肖特基接触；其中，所述衬底材料为Si重掺杂的Ga2O3，所述漂移层材料为Si轻掺杂的Ga2O3。采用本发明的Ga2O3肖特基势垒二极管，能够获得3.4kV高击穿电压，低至5.4mΩ.cm2导通电阻和小于1pA/cm2极低泄漏电流的器件。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2022/04/29 | 授权 | |
| 2021/08/03 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 29/872 专利申请号: 202110409410.1 申请日: 2021.04.16 |
| 2021/07/16 | 公开 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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