发明专利已授权

一种实现高电压集成CMOS器件的器件结构和制备方法

📄 申请号：CN201510332958.5 📄 发布日：2025/10/22

著录项目信息

申请日

2015-06-15

公开号

CN105097697B

公开日

2019-04-05

申请人

上海新储集成电路有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_8238

IPC 分类号

H01L21_8238 , H01L27_092 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件 CMOS集成电路高压功率器件

应用场景

电源管理, 汽车电子, 通信设备, 消费电子, 工业控制

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摘要

本发明涉及半导体器件制作技术领域，具体涉及一种实现高电压集成CMOS器件的器件结构和制备方法，本发明通过深沟槽刻蚀工艺形成一种CMOS器件结构，实现了在先进工艺下无法实现高压驱动晶体管的难题，利用深沟槽隔离工艺实现立体栅结构晶体管，在先进工艺下增加了晶体管的实际沟道长度和栅绝缘层厚度，从而使晶体管能够在较高电压下正常工作，增强其电压驱动能力。本发明利用深沟槽隔离工艺实现高压CMOS器件的方法兼容标准CMOS工艺，工艺步骤简单，成本较低，面积小，可实现先进CMOS工艺集成高电压驱动的功能。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20190405

✅ 授权

20151223

?? 实质审查的生效：

20151125

📄 公开

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