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| 专利/申请号： | CN201510332958.5 | 专利名称： | 一种实现高电压集成CMOS器件的器件结构和制备方法 |
| 申请日： | 2015-06-15 | 申请/专利权人 | 上海新储集成电路有限公司 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 上海市金山区亭卫公路6505号2幢8号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L21/8238 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2019-04-05 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN105097697B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 23 | 所属领域： | 半导体结构 实现专利转让搜索 |
摘 要：本发明涉及半导体器件制作技术领域，具体涉及一种实现高电压集成CMOS器件的器件结构和制备方法，本发明通过深沟槽刻蚀工艺形成一种CMOS器件结构，实现了在先进工艺下无法实现高压驱动晶体管的难题，利用深沟槽隔离工艺实现立体栅结构晶体管，在先进工艺下增加了晶体管的实际沟道长度和栅绝缘层厚度，从而使晶体管能够在较高电压下正常工作，增强其电压驱动能力。本发明利用深沟槽隔离工艺实现高压CMOS器件的方法兼容标准CMOS工艺，工艺步骤简单，成本较低，面积小，可实现先进CMOS工艺集成高电压驱动的功能。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2019/04/05 | 授权 | |
| 2015/12/23 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 21/8238 专利申请号: 201510332958.5 申请日: 2015.06.15 |
| 2015/11/25 | 公开 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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