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摘 要:本发明涉及一种管芯封装结构及其制备方法,该方法包括以下步骤:在所述承载基板上设置临时粘结层、重分布线路层以及半导体管芯,在所述半导体管芯的侧面形成多个平行排列的第一凹槽,在所述半导体管芯的上表面形成多个平行排列的第二凹槽;接着在所述半导体管芯上依次形成第一介质层、第一金属层、第二介质层以及第二金属层,接着在所述承载基板上形成第一封装树脂层以及第二封装树脂层,接着进行热处理,接着在所述第一封装树脂层和所述第二封装树脂层中形成暴露所述重分布线路层的开槽,接着在所述开槽中沉积导电材料以形成导电柱,并使得所述导电柱与所述半导体管芯的所述侧面之间的净距小于20微米。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202010635228.3 | 专利名称: | 一种管芯封装结构及其制备方法 |
申请日: | 2020-07-03 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L21/50搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2022/04/19 | 授权 | |
2020/11/06 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 21/50 专利申请号: 202010635228.3 申请日: 2020.07.03 |
2020/10/20 | 公开 |