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摘 要:本发明涉及一种二硫化钼薄膜材料的制备方法。目前二硫化钼薄膜可通过化学气相沉积法生长,这种方法制备的二硫化钼薄膜往往存在重复性差、结晶质量低的问题,从而影响了二硫化钼薄膜性能研究和应用。本方法采用在化学气相沉积法中引入矿化剂,促进了硫化钼薄膜的生长。以固态硫化钼粉末为源,水蒸气作为矿化剂,低压高温下在基底上获得二硫化钼薄膜。该方法制备二硫化钼薄膜具有薄膜厚度可控、晶形完整和制备重复性高的优点,对于化学气相沉积法制备二硫化钼以及二维过渡金属硫族化合物等二维材料的制备是有益的。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201710600863.6 | 专利名称: | 一种二硫化钼薄膜的制备方法(无证书原件,有扫描件) |
申请日: | 2017-07-21 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C23C16/30搜分类 塑料搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2020/09/08 | 专利权的转移 | 登记生效日: 2020.08.20 专利权人由杭州电子科技大学变更为浙江启博知识产权运营有限公司 地址由310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街变更为310018 浙江省杭州市钱塘新区白杨街道科技园路20号9幢504室 |
2019/11/12 | 授权 | |
2018/10/26 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C23C 16/30 专利申请号: 201710600863.6 申请日: 2017.07.21 |
2018/09/28 | 公开 |