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摘 要:本发明涉及一种氧化硅刻蚀的方法。软光刻技术相对于传统光刻技术,具有方便灵活易于实现的优点,不仅如此它还能用于刻蚀复杂的空间三维结构。光刻中常用的刻蚀剂是氢氟酸,氢氟酸具有很强的腐蚀性和毒性,在条件一般的实验室中是不适合应用的。寻找氢氟酸的替代物,减小因暴露于氢氟酸环境中造成的危害,对于光刻来说是有意义的。本专利通过压印技术将氟化物转移至目标基底并在简单条件下实现了光刻,专利中利用低毒性的氟化物代替高毒性的氢氟酸在实现光刻的同时降低了氢氟酸的危害。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201610161102.0 | 专利名称: | 一种氧化硅刻蚀的方法 |
申请日: | 2016-03-21 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L21/311搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 7000.0元 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2020/09/04 | 专利权的转移 | 登记生效日: 2020.08.14 专利权人由杭州电子科技大学变更为浙江启博知识产权运营有限公司 地址由310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街变更为310018 浙江省杭州市钱塘新区白杨街道科技园路20号9幢504室 |
2018/09/25 | 授权 | |
2016/09/21 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 21/311 专利申请号: 201610161102.0 申请日: 2016.03.21 |
2016/08/24 | 公开 |