发明专利 已授权

一种半导体处理设备

📄 申请号:CN202310965852.3 📄 发布日:2026/09/16

著录项目信息

申请日
2023-07-31
公开号
CN116904970A
公开日
2023-10-20
申请人
重庆理工大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

集成电路制造, 晶圆加工, 芯片制造, 半导体器件生产, 半导体制造

摘要

本发明涉及半导体加工领域,公开了一种半导体处理设备,包括基座、外壳和晶舟基座上设有注气端口,外壳上设有抽气端口,外壳罩覆在晶舟外侧,晶舟每层支撑平台的上方均设有注气盘,注气盘包括上盘体和转动在上盘体底部的下盘体,上盘体内部设有加压气道和叶轮腔,加压气道与注气端口连通,叶轮腔内设有与下盘体固定的叶轮,下盘体内部设有与叶轮腔连通的布气腔,布气腔的底部开设有条形布气口。本发明可解决现有技术中对晶圆沉积过程中薄膜厚度均匀程度的解决方式,或采用气体从外环绕向晶圆中心扩散接触的方式,或采用晶圆在大量气体环境中旋转接触气体的方式,均存在沉积的薄膜边缘厚度大于中心厚度的情况,薄膜厚度仍存在不均匀的问题。

常见问题

这项专利是否已经下证?

是的,该专利已下证,法律状态为“已下证”,公开号: CN116904970A

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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