发明专利已授权

一种集成双自偏置MOS低关断损耗的RC-LIGBT器件

📄 申请号：CN202210517761.9 📄 发布日：2026/08/27

著录项目信息

申请日

2022-05-12

公开号

CN114937666A

公开日

2022-08-23

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L27_07

IPC 分类号

H01L27_07 , H01L29_423 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件绝缘栅双极晶体管半导体器件结构

应用场景

电能变换, 新能源汽车, 光伏逆变器, 工业电机驱动, 电源管理

AI 智能推荐 · 同申请人专利 · 搜索相似专利

摘要

本发明涉及一种集成双自偏置MOS低关断损耗的RC‑LIGBT器件，属于半导体技术领域。本发明的LIGBT器件，具有以下结构及性能特征：(1)反向导通MOS与低关断损耗MOS均包含N‑base﹑P‑base和N+集电极，金属栅极通过多晶硅层分别与N‑base和N+集电极短接，无需额外栅信号控制。(2)正向导通时，无负阻效应；反向导通时，当VGS,RC>VTH,反向导通MOS自动开启，器件实现反向导通；在关断时刻，器件满足VGS,FC>VTH，低关断损耗MOS开启，电子可以通过低关断损耗MOS抽取，减小了关断时间，降低了关断损耗。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种集成自偏置PMOS的低功耗LIGBT器件

当前第 / 件

一种具有屏蔽效应的超结P柱和N-沟道的4H—SiC基VDMOS器件

同领域国内专利 · IPC: (H01L27_07)

H01L27_01 H01L27_02 H01L27_04 H01L27_06 H01L27_07 H01L27_108 H01L27_112 H01L27_11507 H01L27_11517 H01L27_12 H01L27_144 H01L27_146 H01L27_15 H01L27_30 H01L27_32 覆盖15个领域

相似专利推荐 AI 驱动 · 同领域

暂无同领域相似专利推荐

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：9 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 0件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

李** 企业¥-8万

陈**¥-3万

查看全部出价

我要出价 (议价)