发明专利已授权

一种具有屏蔽效应的超结P柱和N-沟道的4H—SiC基VDMOS器件

📄 申请号：CN202210506265.3 📄 发布日：2026/08/27

著录项目信息

申请日

2022-05-10

公开号

CN114899219B

公开日

2025-11-11

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10D62_10

IPC 分类号

H10D62_10 , H10D30_66 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件碳化硅半导体器件超结功率器件

应用场景

新能源汽车, 开关电源, 光伏逆变器, 充电桩, 工业电机驱动

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摘要

本发明涉及一种具有屏蔽效应的超结P柱和N‑沟道的4H‑SiC基VDMOS器件，属于半导体技术领域。该器件包括P+多晶硅漏极、N+衬底区、P柱屏蔽区、N柱区、P‑电场终止区、二氧化硅隔离层、P+多晶硅栅电极、P+多晶硅源电极Ⅰ、P+多晶硅源电极Ⅱ、N‑沟道区和N+源区；其中P+多晶硅漏电极、N+衬底区、N柱区、P+多晶硅源电极Ⅱ、N‑沟道区和N+源区组成器件的导电区；N柱区和P‑电场终止区组成器件的漂移区；P柱屏蔽区和N柱区组成器件的横向超结。本发明在传统4H‑SiC基VDMOS器件基础上，在垂直漂移区引入超结结构、整体非对称结构以及N‑沟道区，提高了器件的击穿电压，大幅降低了米勒电容和反馈电容，提升了器件的动态性能，降低了沟道电阻和比导通电阻。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种集成双自偏置MOS低关断损耗的RC-LIGBT器件

当前第 / 件

一种集成四种MOSFET的RC-LIGBT器件

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