发明专利 已授权

基于CMOS的光电加速度传感器

📄 申请号:CN201810293685.1 📄 发布日:2026/08/26

著录项目信息

申请日
2018-03-30
公开号
CN108196091B
公开日
2024-01-26
申请人
南京邮电大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

消费电子, 汽车安全, 工业振动监测, 惯性导航, 机器人运动控制

摘要

本发明公开了一种基于CMOS的光电加速度传感器,采用MEMS平面加工,该加速度传感器由短波平行光源、Y向遮光板,X向遮光板以及CMOS光电阵列组成。在遮光板上刻蚀出若干条条纹使得光线透过。当物体沿Y(X)轴运动时,Y(X)向遮光板产生的条纹位置会产生变化,同时CMOS光电阵列感应这些条纹位置的变化并计算单位时间内条纹的位移,即可得到Y(X)轴方向上的运动情况。当物体沿Z轴方向运动,X向遮光板和Y向遮光板产生的光照条纹所围成的方形内光敏元件数目会发生变化,通过计算数目的变化即可得到Z轴方向的运动情况。本发明的加速度传感器采用多位二进制数表示光照强度,具有精度高、灵敏度高等优点。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

同领域国内专利 · IPC: (G01P15_18)

议价
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