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本发明公开了一种基于CMOS的光电加速度传感器,采用MEMS平面加工,该加速度传感器由短波平行光源、Y向遮光板,X向遮光板以及CMOS光电阵列组成。在遮光板上刻蚀出若干条条纹使得光线透过。当物体沿Y(X)轴运动时,Y(X)向遮光板产生的条纹位置会产生变化,同时CMOS光电阵列感应这些条纹位置的变化并计算单位时间内条纹的位移,即可得到Y(X)轴方向上的运动情况。当物体沿Z轴方向运动,X向遮光板和Y向遮光板产生的光照条纹所围成的方形内光敏元件数目会发生变化,通过计算数目的变化即可得到Z轴方向的运动情况。本发明的加速度传感器采用多位二进制数表示光照强度,具有精度高、灵敏度高等优点。
📄 2018102936851 📂 G01P15_18 👤 南京邮电大学 📅 2018-03-30
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发明 已授权

基于CMOS的光电加速度传感器

2018102936851 · 南京邮电大学
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🔋 高能量密度固态电解质材料与制备工艺
预算:¥50-100万截止:2026-08-30发布方:××新能源科技响应:8人

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CRISPR基因编辑技术

转让方:××大学
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SiC功率器件工艺专利

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钙钛矿光伏组件技术

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