发明专利已授权

纳米金刚石片竖立组装的高迁移率n型薄膜及其制备方法

📄 申请号：CN202310203923.6 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2023-03-06

公开号

CN116445885B

公开日

2024-12-06

申请人

浙江工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C16_27

IPC 分类号

C23C16_27 , H01L21_02 , C23C16_26 , C23C16_56 , C23C16_02 , C23C16_52 , B82Y30_00 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

纳米金刚石纳米材料金刚石薄膜半导体材料纳米金刚石

应用场景

场效应晶体管, 功率器件, 高频电子器件, 光电探测器, 半导体器件

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摘要

本发明公开了一种纳米金刚石片竖立组装的高迁移率n型薄膜及其制备方法，石墨烯/纳米金刚石复合竖立片层由热丝化学气相沉积法制备，再利用微波等离子体处理获得具有密堆积结构的片层，呈高迁移率n型电导。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

温度-应力试验中约束试件的弹性应变计算方法及其系统

当前第 / 件

一种移动机器人视觉伺服保性能跟踪控制方法

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