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本发明公开了一种凹陷式块状类单晶籽晶铸锭熔化结晶工艺，包括如下步骤：(1)单晶硅籽晶的制备及装料阶段；(2)单晶硅籽晶铸锭熔化阶段；(3)类单晶长晶阶段。本发明的特点在于当硅料熔液从顶部向底部流动经过阻挡层时，会沿着晶砖的凹陷角度向坩埚中心流动。这样就可以避免因为铸锭炉的加热器位于坩埚顶部和四壁，坩埚壁处的温度较高，导致坩埚壁处的硅溶液沿着坩埚壁向下流动，接触籽晶层造成边侧籽晶层熔穿的现象。同时，缓冲层向中心流动的硅熔液可以提高坩埚中心的温度，避免了在中心处的籽晶层未熔化的现象，采用了降温速率控制工艺，实现了铸锭工艺的优化。

本发明公开了一种凹陷式类单晶硅籽晶熔化控制的装料方法，包括以下步骤：在石英坩埚内表面喷涂氮化硅粉末冷却，作为保护层；在石英坩埚底部铺设一层菜籽料；在菜籽料上铺设籽晶板或者籽晶块，作为定向凝铸半熔工艺的籽晶层；使用小颗粒原生多晶硅料将铺设的籽晶板或者籽晶块之间的缝隙填满；在籽晶层上铺设菜籽料，作为缓冲层；在缓冲层上铺设晶砖，作为阻挡层,阻挡层的晶砖从坩埚壁向坩埚中心渐次降低，形成一个凹陷的结构；在阻挡层上逐层码放硅料，直至达到所需的硅料要求。本发明的特点在于当硅料熔液从顶部向底部流动经过阻挡层时，会沿着晶砖的凹陷角度向坩埚中心流动。这样就可以避免边侧籽晶层熔穿和在中心处的籽晶层未熔化的现象。