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本申请公开了一种基于液相法生长碳化硅的热场优化方法，基于第一加热参数对处于第f形态下的石墨坩埚进行加热，使与第f形态对应的第一性能参数满足第一预设条件；第一性能参数包括石墨坩埚和石墨坩埚中硅熔体的交界面的第一碳浓度梯度；第一预设条件包括第一碳浓度梯度小于预设碳浓度梯度；根据第一碳浓度梯度和界面位移量计算模型，获取在目标时长之后石墨坩埚的目标界面位移量；根据第f形态和目标界面位移量得到石墨坩埚的第f+1形态；基于第二加热参数对处于第f+1形态下的石墨坩埚进行加热，使与第f+1形态对应的第一性能参数满足第一预设条件，本申请可以实现对碳化硅的热场优化，避免石墨坩埚形变对碳化硅晶体生长影响。