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一种单畴钆钡铜氧超导块材的制备方法，由配制Gd₂BaCuO₅先驱粉、配制液相源粉、压制Gd₂BaCuO₅先驱块和液相块、压制支撑块、装配先驱块、熔渗生长单畴钆钡铜氧块材、渗氧处理步骤组成。本发明采用顶部籽晶熔渗生长法，通过改变液相块所用液相源粉的成分，使得熔渗生长过程仅需Gd₂BaCuO₅和BaCuO₂两种先驱粉，简化了实验环节、缩短了实验周期、降低了实验成本、节省了能源、提高了效率。采用Y₂O₃制备液相源粉，提高了液相源粉的利用率，采用了Yb₂O₃制备支撑块，在钆钡铜氧块材的慢冷生长过程中，稳定地支撑上面的两个坯块，阻止液相的流失。本发明可用于制备钆钡铜氧超导块材，也可用于制备Y、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材。

一种提高单畴钇钡铜氧超导块材制备效率的方法，采用顶部籽晶金属氧化物熔渗生长工艺（Top Seeded Metal Oxide Infiltration and Growth，简称TS-MOIG）制备单畴钇钡铜氧块材，将金属氧化物（Y2O3、BaO、CuO）在高温状态下直接熔化反应，省去了传统方法必须制备Y2BaCuO5、YBa2Cu3O7-x和Ba3Cu5O8三种粉体的过程，简化了操作步骤，缩短了制备周期，降低了生产成本，大大提高了工作效率，避免了上述三种粉体在多次操作中混入杂质，且环境污染小。另外，该方法通过在先驱粉体中加入去离子水，克服了在烧制块材时容易产生裂纹的缺点。本发明所制备的单畴钇钡铜氧超导块材磁悬浮力大，同时适用于Yb、Y、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材的制备。

本发明公开了一种具有高磁通钉扎性能YBCO薄膜的制备方法，具体按照以下步骤实施：在铝酸镧单晶衬底上制备金属氧化物的凝胶膜，将凝胶膜进行干燥处理；将得到的凝胶膜通过特定图形的掩模进行紫外线曝光，再经溶剂洗涤和热处理，制得结晶化的金属氧化物微细图形；制备YBCO凝胶膜，再经热处理和退火处理，制得具有高磁通钉扎性能的YBCO薄膜。本发明利用晶格失配在YBCO基体中诱导形成高密度的纳米级尺寸的晶体缺陷，作为人工钉扎中心，显著增强YBCO薄膜的磁通钉扎性能，提高磁场下YBCO薄膜的临界电流密度，适合大规模工业化生产，为制备高性能钇系或稀土系钡铜氧涂层导体提供一种新方法。