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本发明公开了一种底部红区短、原生位错少的铸造单晶籽晶铺设方法，包括以下步骤：将直拉单晶硅棒去除头尾、边皮、线切割得到铸造单晶籽晶，对其表面进行喷砂处理，增加其表面粗糙度；从多晶硅块或单晶硅块上切割得到厚片，对厚片表面进行喷砂，增加其表面粗糙度；在坩埚底部铺设第一厚片层；在第一厚片层上铺设铸造单晶籽晶，相邻铸造单晶籽晶之间侧面留有间隙；在每块铸造单晶籽晶上表面正中心位置铺设第二厚片层；第二厚片层上铺设厚片，厚片侧壁紧密贴合，形成第三厚片层，在第三厚片层上放置原生硅料、回收硅料等，当硅料熔化至铸造单晶籽晶层1/2位置时，制造一个垂直方向的温度梯度，从底部向上逐渐凝固得到铸造单晶硅锭。

一种籽晶可通用且能重复利用籽晶制备单晶高温合金的方法，在预埋刚玉管于籽晶段的基础上做进一步的改进，增加使用冷却板辅助<001>取向籽晶制备单晶高温合金，使<001>取向籽晶的轴向与铸件的轴向形成一定的角度a，当液态母合金浇入后，晶体生长会沿着与籽晶相同的结晶位相生长，即得到<001>方向偏离轴线a的铸件。通过圆锥形的过渡段使得籽晶与零件段之间有一定的缓冲，能够使得籽晶与零件段较好的连接在一起，确保定向凝固过程中籽晶顶端不出现杂晶凝固缺陷，并且刚玉管与冷却板铸件有足够的距离，确保籽晶段的受力在模壳上，避免刚玉管因受力问题而遭到损坏。采用本发明能够实现用<001>取向籽晶制备出特定取向的单晶铸件，并实现籽晶可通用且能重复利用。