发明专利已授权

一种负电容场效应晶体管中抑制随机掺杂效应的建模方法

📄 申请号：CN201810465594.1 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-05-16

公开号

CN108416179B

公开日

2021-09-07

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G06F30_367

IPC 分类号

G06F30_367

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件晶体管建模集成电路设计与仿真

应用场景

集成电路设计, 低功耗电子器件, 半导体工艺仿真, 电子设计自动化（EDA）, 纳米尺度晶体管研发

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摘要

本发明公开了一种负电容场效应晶体管中抑制随机掺杂效应的建模方法。该方法提供了NC‑MOSFET的剖面结构，在传统MOSFET的金属栅极上添加一层氧化铪（HfO）作为铁电材料，实现负电容的集成制作。建立了NC‑MOSFET的串联等效电容模型，解析了器件的性能参数与负电容的数学关系，并根据电容分压原理，推导内部栅极的电压，明晰了内部电压放大的机制，通过计算CEQ，IDNC，SSNC和DIBLNC的标准差、偏度和峰度，实现了其抑制RDE效应的原理分析和建模。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20210907

✅ 授权

20180911

?? 实质审查的生效：

20180817

📄 公开

一种Sb8O11Cl2亚微米片的制备方法

当前第 / 件

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