发明专利已授权

一种常压下硅基锗纳米点的制备方法

📄 申请号：CN202010042736.0 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2020-01-15

申请人

陕西科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C14_16

IPC 分类号

C23C14_16 , C23C14_24 , B82Y30_00 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

纳米材料制备纳米材料制备半导体材料量子点

应用场景

半导体器件, 光电子器件, 量子计算, 纳米电子学

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摘要

本发明公开了一种常压下硅基锗纳米点的制备方法，属于锗纳米点制备技术领域。该制备方法包括清洗硅片；在干燥后的硅片上喷铂金层，将处理好的硅片放到条形容器的一端，另一端放入锗粉，盖上盖子，然后对装有锗粉的一端进行加热，同时向条形容器内通入氩气，氩气自装有锗粉的一端进入条形容器，直至加热结束，经降温后得硅基锗纳米点。本发明的制备方法技术易操作，设备简单，设备价格较低，没有污染物，生长周期短。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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