发明专利已授权

一种模拟化学气相沉积生长单层过渡金属硫化物的方法

📄 申请号：CN202011119208.7 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2020-10-19

申请人

陕西科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C16_30

IPC 分类号

C23C16_30 , C23C16_52 , C23C16_56 , C01G39_06 ,

技术画像

所属领域

过渡金属硫化物化学气相沉积二维材料计算模拟过渡金属硫化物

应用场景

半导体器件, 微电子制造, 二维材料制备, 光电探测, 新材料研发

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摘要

本发明公开了一种模拟化学气相沉积生长单层过渡金属硫化物的方法，属于二维材料制备技术领域。包括以下步骤：S1、构建单层过渡金属硫化物生长所需基底；S2、将过渡金属氧化物和硫置于S1提供的基底上，并采用分子动力学模拟化学气相沉积法，对置于基底上的过渡金属氧化物和硫在一定温度下进行成核生成单层过渡金属硫化物，即得单层过渡金属硫化物。本发明基于第一性原理及分子动力学方法，系统探究过渡金属氧化物(如MoO3)和S在基底上的沉积及MoS2的完整成核过程，为单层过渡金属硫化物(如MoS2)的可控生长提供理论依据。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种模拟单层单晶六角氮化硼薄膜的制备方法

当前第 / 件

一种表面自清洁性生漆复合膜及其制备方法

同领域国内专利 · IPC: (C23C16_30)

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议价

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