发明专利已授权

一种模拟单层单晶六角氮化硼薄膜的制备方法

📄 申请号：CN202011120600.3 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2020-10-19

申请人

陕西科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B33_00

IPC 分类号

C30B33_00 , C30B29_38 , C30B29_64 ,

技术画像

所属领域

薄膜制备技术薄膜制备技术氮化硼材料二维材料

应用场景

半导体器件, 电子散热材料, 光学窗口, 深紫外光电器件, 量子信息技术

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摘要

本发明公开了一种模拟单层单晶六角氮化硼薄膜的制备方法，属于二维材料制备技术领域。包括以下步骤：S1、构建基底材料模型；S2、获得不同边界的hBN纳米带；沿hBN纳米片的扶手椅型BN(BNac)、扶手椅型NB(NBac)、富硼“Z”字型(Bzz)及富氮“Z”字型(Nzz)四种边界剪切，获得不同边界hBN纳米带；S3、构建hBN纳米片或氢钝化hBN纳米片模型；S4、确定最佳的可融合成单晶hBN纳米片的模型；S5、确定氢压范围。本发明基于第一性原理模拟圆形hBN晶粒融合形成单层hBN单晶薄膜的生长过程，确定最适合融合的hBN晶粒边界，明确氢压在制备过程中的作用，对制备出大面积、高质量的单层单晶六角氮化硼薄膜具有重要的科学意义。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20210817

✅ 授权

20210129

?? 实质审查的生效：

20210112

📄 公开

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