发明专利已授权

一种纳米花阵列结构的制备方法及其应用

Name: 一种纳米花阵列结构的制备方法及其应用
Brand: 杭州电子科技大学
SKU: 2021101785447
Availability: InStock

📄 申请号：CN202110178544.7 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-02-09

公开号

CN113046707B

公开日

2023-04-28

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C14_35

IPC 分类号

C23C14_35 , C23C14_02 , C23C14_20 , G01N33_574 , B82Y15_00 , B82Y30_00 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

阵列结构纳米材料纳米结构制备纳米阵列阵列结构

应用场景

气体传感器, 光催化, 电催化, 超级电容器, 生物传感器

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摘要

本发明公开了一种纳米花阵列结构的制备方法及其应用，涉及纳米复合材料微加工技术领域，包括以下制备步骤：（1）清洗硅片；（2）通过自组装的方法制备得到六方密排聚苯乙烯微球阵列结构；（3）将六方密排聚苯乙烯微球阵列结构进行刻蚀制备得到溅射衬底；（4）在溅射衬底表面进行倾斜、旋转磁控溅射本发明制备得到的纳米花阵列结构由于具备顶端及侧缘尖锐的花瓣结构，该花瓣结构提供了丰富的热点，且花瓣之间距离较小，有利于获得极大的局域耦合场，因此纳米花阵列结构SERS活性高。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN113046707B

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该专利的转让价格是多少？

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种纳米发电机构、双极型球形纳米发电机及供能系统

当前第 / 件

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